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transistor di potenza del mosfet

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—— Mr.Mick

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transistor di potenza del mosfet

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Porcellana Commutazione di potenza ad alta velocità di uso generale dei diodi del transistor di potenza del Mosfet di BAS316Z fabbrica

Commutazione di potenza ad alta velocità di uso generale dei diodi del transistor di potenza del Mosfet di BAS316Z

Diodi del transistor di potenza del Mosfet di BAS316Z - uso generale, potere, diodi di commutazione ad alta velocità di commutazione Questo prodotto è stato qualificato conformemente al Consiglio (AEC) Q101 ... Read More
2019-05-07 11:49:36
Porcellana Circuito dell'interruttore di accensione del Mosfet di BSZ100N06LS3G 50 W, circuito di controllo del Mosfet TSDSON-8 OptiMOS 3 fabbrica

Circuito dell'interruttore di accensione del Mosfet di BSZ100N06LS3G 50 W, circuito di controllo del Mosfet TSDSON-8 OptiMOS 3

MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 del transistor di potenza del Mosfet di BSZ100N06LS3G Caratteristiche Ideale per la commutazione e la sincronizzazione ad alta frequenza. rec. Tecnologia ottimizzata per i ... Read More
2019-05-07 11:49:43
Porcellana MOSFET N Ch 100V 100A TDSON-8 del transistor di potenza del Mosfet di BSC046N10NS3G fabbrica

MOSFET N Ch 100V 100A TDSON-8 del transistor di potenza del Mosfet di BSC046N10NS3G

MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 del transistor di potenza del Mosfet di BSC046N10NS3G Caratteristiche • Tassa molto bassa del portone per le applicazioni ad alta frequenza • Ottimizzato per la conversione di cc... Read More
2019-04-17 15:08:02
Porcellana Transistor del Mosfet di Manica di 2N7002LT1G N, transistor di effetto del giacimento del MOS 115mA fabbrica

Transistor del Mosfet di Manica di 2N7002LT1G N, transistor di effetto del giacimento del MOS 115mA

N-Manica del MOSFET 60V 115mA del transistor di potenza del Mosfet 2N7002LT1G Caratteristiche • prefisso 2V per applicazioni automobilistiche ed altre che richiedono i requisiti unici del cambiamento di ... Read More
2019-05-07 11:49:49
Porcellana Interruttore per tutti gli usi di commutazione di potenza dei diodi del transistor di potenza del Mosfet di BAS516,115 75V 250MA HS fabbrica

Interruttore per tutti gli usi di commutazione di potenza dei diodi del transistor di potenza del Mosfet di BAS516,115 75V 250MA HS

Diodi del transistor di potenza del Mosfet BAS516,115 - uso generale, potere, interruttore di commutazione 75V 250MA HS Caratteristiche e benefici alta velocità di commutazione di :  4 NS del trr corrente ... Read More
2019-05-07 11:50:06
Porcellana Circuito del commutatore del Mosfet BAV99,215, interruttore DBL 100V 215MA HS del circuito dell'amplificatore del Mosfet fabbrica

Circuito del commutatore del Mosfet BAV99,215, interruttore DBL 100V 215MA HS del circuito dell'amplificatore del Mosfet

Diodi del transistor di potenza del Mosfet BAV99,215 - uso generale, potere, interruttore di commutazione DBL 100V 215MA HS Descrizione generale Diodi di commutazione ad alta velocità, incapsulati in piccoli ... Read More
2019-05-07 11:50:15
Porcellana Configurazione bassa del transistor di potenza N-CH PWR del Mosfet di resistenza CSD13381F4 singola fabbrica

Configurazione bassa del transistor di potenza N-CH PWR del Mosfet di resistenza CSD13381F4 singola

MOSFET del MOSFET 12V N-CH PWR del transistor di potenza del Mosfet CSD13381F4 Caratteristiche 1 Su resistenza bassa Qg e Qgd bassi Tensione bassa della soglia Ultra-piccola orma (una dimensione di 0402 casi) – ... Read More
2019-05-07 11:50:20
Porcellana Resistenza termica bassa ultrabassa di NCh NexFET PWR del circuito del driver del motore del Mosfet di CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg fabbrica

Resistenza termica bassa ultrabassa di NCh NexFET PWR del circuito del driver del motore del Mosfet di CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg

MOSFET del MOSFET 30V NCh NexFET PWR del transistor di potenza del Mosfet di CSD17308Q3 CSD17308Q3T Caratteristiche 1 Ottimizzato per l'azionamento del portone 5-V Qg ultrabasso e Qgd Resistenza termica bassa ... Read More
2019-07-25 15:14:41
Porcellana Transistor di potenza 30 V 8-VSONP del Mosfet di stile del montaggio di CSD17578Q3A fabbrica

Transistor di potenza 30 V 8-VSONP del Mosfet di stile del montaggio di CSD17578Q3A

MOSFET CSD17578Q3A 30 V 8-VSONP del transistor di potenza del Mosfet di CSD17578Q3A Caratteristiche 1 Qg e Qgd bassi RDS basso (sopra) Resistenza termica bassa Valanga valutata Senza Pb RoHS compiacente L... Read More
2019-05-07 13:45:38
Porcellana Livello logico RoHS di MOhms del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di CSD18504Q5A N 6,6 compiacente fabbrica

Livello logico RoHS di MOhms del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di CSD18504Q5A N 6,6 compiacente

MOSFET di potere di NexFET di N-Manica del MOSFET 40V del transistor di potenza del Mosfet di CSD18504Q5A Caratteristiche 1 Qg ultrabasso e Qgd Resistenza termica bassa Valanga valutata Livello logico ... Read More
2019-05-07 11:50:34
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